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產(chǎn)品名稱：瑞士ABB IGBT
產(chǎn)品型號(hào)：5SNA 3600E170300
產(chǎn)品廠商：ABB
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簡(jiǎn)單介紹：

ABB從300-12000A 及200－8500 v 的電力半導(dǎo)體.傳統(tǒng)與現(xiàn)代工藝相結(jié)合的多種電力半導(dǎo)體能滿足牽引業(yè)，工業(yè)及能源傳動(dòng)節(jié)業(yè)。這種產(chǎn)品主要包括 GTO, IGBT, IGCT, 晶閘管及二極管。其在300－12000A及200－8500 V的電力下優(yōu)良好表現(xiàn)。

詳情介紹：

和 GTO及IGCT相比，IGBT 傳導(dǎo)損失相對(duì)較高，關(guān)斷損失則較低。因此，優(yōu)化的IGBT開關(guān)頻率與相同額定的GTO和IGCT相比而言是很高的。

無保護(hù)網(wǎng)（“緩沖器”）也可使用IGBT, 因而可以使極為簡(jiǎn)單的系統(tǒng)拓?fù)鋵W(xué)化。這種簡(jiǎn)化會(huì)導(dǎo)致這樣一個(gè)結(jié)果：大部分的系統(tǒng)損失會(huì)在硅中消散因此通過熱約束減少*大開關(guān)功率。

所有IGBT獨(dú)有的特性是它有能承受短路（高電流和高電壓在裝置中同時(shí)交叉)的能力。短路時(shí)，能通過IGBT到達(dá)裝置設(shè)計(jì)的水平的電流時(shí)有限的。僅有門控制又不對(duì)裝置造成長(zhǎng)久性損傷在10微秒內(nèi)**的關(guān)閉短路是不可能的。

IGBT 由1 cm2的半導(dǎo)體芯片構(gòu)成。與之相匹配的二極管一同，IGCT 被做成不同的模塊，電和機(jī)械的裝置以及各種電額定。

Insulated-gate bipolar transistors (IGBT) and diode dies

ABB Semiconductors’ SPT (Soft Punch Through) chipsets and its improved versions with lower losses (SPT+and SPT++) are available at 1200 and 1700 volt. They feature highest output power per rated ampere due to a moderate chip shrinkage and thus larger die area.
Typical applications for 1200 volt are power converters for industrial drives, solar energy, battery backup systems (UPS) and electrical vehicles. Applications for 1700 volt include industrial power conversion & drives, wind turbines and traction.
ABB’s newly introduced 1700 V SPT++ chipset is the world’s first 1700 V chipset that offers an operational junction temperature of up to 175 °C. This allows the module designer to increase the power density of power modules significantly.

瑞士ABB的IGBT模塊型號(hào)大全

瑞士ABB的IGBT功率模塊的單IGBT，雙/相支路IGBT，斬波器和雙二極管模塊的電壓范圍為1700至6500伏。高功率HiPak IGBT模塊具有低損耗和軟開關(guān)性能以及創(chuàng)紀(jì)錄的**工作區(qū)（SOA）。新推出的62Pak快速開關(guān)**率IGBT模塊具有zui低的開關(guān)損耗，完全正方形SOA和標(biāo)準(zhǔn)封裝允許完全175°C的操作，允許直接替換。

IGBT Part number

Datasheet

Type

Size mm

V_CES (V)

I_C (A)

1.2 kV

5SMY 76H1280/
5SMY 86H1280

5SMY 12H1280

SPT⁺

9.1 x 9.1

1200

57

5SMY 76J1280/
5SMY 86J1280

5SMY 12J1280

SPT⁺

10.2 x 10.2

1200

75

5SMY 76K1280/
5SMY 86K1280

5SMY 12K1280

SPT⁺

11.2 x 11.9

1200

100

5SMY 76M1280/
5SMY 86M1280

5SMY 12M1280

SPT⁺

13.5 x 13.5

1200

150

1.7 kV

5SMY 86G1721

5SMY 12G1721

SPT⁺

8.6 x 8.6

1700

50

5SMY 86J1721/
5SMY 12J1721

5SMY 12J1721

SPT⁺

10.1 x 10.1

1700

75

5SMY 86K1721/
5SMY 12K1721

5SMY 12K1721

SPT⁺

11.4 x 11.4

1700

100

5SMY 86M1721/
5SMY 12M1721

5SMY 12M1721

SPT⁺

13.6 x 13.6

1700

150

5SMY 86M1730*

5SMY 12M1730

SPT⁺⁺

13.6 x 13.6

1700

150

Diode Part number	Datasheet	Type	Size mm	V_RRM (V)	I_F (A)
1.2 kV
5SLY 76E1200/ 5SLY 86E1200	5SLY 12E1200	SPT⁺	6.3 x 6.3	1200	50
5SLY 76F1200/ 5SLY 86F1200	5SLY 12F1200	SPT⁺	7.4 x 7.4	1200	75
5SLY 76G1200/ 5SLY 86G1200	5SLY 12G1200	SPT⁺	8.4 x 8.4	1200	100
5SLY 76J1200/ 5SLY 86J1200	5SLY 12J1200	SPT⁺	10 x 10	1200	150
1.7 kV
5SLY 86E1700	5SLY 12E1700	SPT⁺	6.3 x 6.3	1700	50
5SLY 86F1700	5SLY 12F1700	SPT⁺	7.7 x 7.7	1700	75
5SLY 86G1700	5SLY 12G1700	SPT⁺	8.6 x 8.6	1700	100
5SLY 86J1700/ 5SLY 12J1700	5SLY 12J1700	SPT⁺	10.2 x 10.2	1700	150
5SLY 86M1700/ 5SLY 12M1700	5SLY 12M1700	SPT⁺	13.5 x 13.5	1700	300
5SLZ 86J1700*	5SLZ 12J1700	SPT⁺⁺	10.2 x 10.2	1700	150

Part Number

Voltage V_CES(V)

Current I_C(A)

Type

Tvj (operational) up to 125°C
1.7 kV
5SND 0800M170100	1700	2x800	Dual IGBT
5SNE 0800M170100	1700	800	Chopper
5SNA 1600N170100	1700	1600	Single IGBT
5SNA 1800E170100	1700	1800	Single IGBT
5SNA 2400E170100 **	1700	2400	Single IGBT
3.3 kV
5SNE 0800E330100	3300	800	Chopper
5SNA 0800N330100	3300	800	Single IGBT
5SLD 1200J330100	3300	2x1200	Dual Diode
5SNA 1200E330100	3300	1200	Single IGBT
5SNA 1200G330100	3300	1200	Single IGBT
Tvj (operational) up to 150°C
1.7 kV
5SNA 2400E170305	1700	2400	Single IGBT
5SNA 3600E170300	1700	3600	Single IGBT
5SLA 3600E170300	1700	3600	Single Diode
2.5kV
5SNA 1500E250300	2500	1500	Single IGBT
3.3kV
5SNG 0250P330305	3300	2x250	Half Bridge
5SLG 0500P330300	3300	2 x 500	Diode Bridge
5SND 0500N330300	3300	2 x 500	Dual IGBT
5SLD 1000N330300	3300	1000	Dual Diode
5SNA 1000N330300	3300	1000	Single IGBT
5SNA 1500E330305	3300	1500	Single IGBT
Tvj (operational) up to 125°C
4.5 kV
5SNG 0150P450300	4500	2x150	Half Bridge
5SLG 0600P450300	4500	2 x 600	Diode Bridge
5SLD 0650J450300	4500	2x650	Dual Diode
5SNA 0650J450300	4500	650	Single IGBT
5SNA 0800J450300	4500	800	Single IGBT
5SLD 1200J450350	4500	2x1200	Dual Diode
5SNA 1200G450300	4500	1200	Single IGBT
5SNA 1200G450350	4500	1200	Single IGBT
6.5 kV
5SNA 0400J650100	6500	400	Single IGBT
5SNA 0500J650300	6500	500	Single IGBT
5SLD 0600J650100	6500	2x600	Dual Diode
5SNA 0600G650100	6500	600	Single IGBT
5SNA 0750G650300	6500	750	Single IGBT

標(biāo)題：

內(nèi)容：

聯(lián)系人：

聯(lián)系電話：

Email：

公司名稱：

聯(lián)系地址：

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2.如有必要,請(qǐng)您留下您的詳細(xì)聯(lián)系方式!

京公網(wǎng)安備 11010802025865號(hào)

IGBT Part number	Datasheet	Type	Size mm	V_CES (V)	I_C (A)
1.2 kV
5SMY 76H1280/ 5SMY 86H1280	5SMY 12H1280	SPT⁺	9.1 x 9.1	1200	57
5SMY 76J1280/ 5SMY 86J1280	5SMY 12J1280	SPT⁺	10.2 x 10.2	1200	75
5SMY 76K1280/ 5SMY 86K1280	5SMY 12K1280	SPT⁺	11.2 x 11.9	1200	100
5SMY 76M1280/ 5SMY 86M1280	5SMY 12M1280	SPT⁺	13.5 x 13.5	1200	150
1.7 kV
5SMY 86G1721	5SMY 12G1721	SPT⁺	8.6 x 8.6	1700	50
5SMY 86J1721/ 5SMY 12J1721	5SMY 12J1721	SPT⁺	10.1 x 10.1	1700	75
5SMY 86K1721/ 5SMY 12K1721	5SMY 12K1721	SPT⁺	11.4 x 11.4	1700	100
5SMY 86M1721/ 5SMY 12M1721	5SMY 12M1721	SPT⁺	13.6 x 13.6	1700	150
5SMY 86M1730*	5SMY 12M1730	SPT⁺⁺	13.6 x 13.6	1700	150

產(chǎn)品名稱：瑞士ABB IGBT

Insulated-gate bipolar transistors (IGBT) and diode dies